制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDFN22-6

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:11.6 A, 9 A

Rds On-漏源导通电阻:17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:9.1 nC, 9.8 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.25 W, 6.25 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:N- and P-Channel Power MOSFET

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:28 S, 15 S

下降时间:30 ns, 68 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

上升时间:41 ns, 34 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:25 ns, 69 ns

典型接通延迟时间:8 ns, 10 ns